MICRO2NANO, INC.

NAND - Flash 테스트용 Probe Card

NAND

NAND Flash는 데이터를 전기적으로 저장하고 삭제할 수 있는 비휘발성 메모리로,

모바일 기기, SSD, 서버, 자동차 전장 등 다양한 분야에서 핵심 저장장치로 사용됩니다.

NAND의 대용량화 및 고속화에 따라, 웨이퍼 단계에서의 정밀한 전기적 테스트가 더욱 중요해지고 있으며,

마이크로투나노는 이러한 트렌드에 발맞춰 NAND 전용 고집적 Probe Card 솔루션을 제공합니다.

◽High-Density Multi-Pin 설계: 수천 채널 이상의 I/O를 정밀하게 대응

◽고속 신호 테스트 최적화: 최신 NAND 구조의 고주파 특성에 대응하는 설계

◽균일한 접촉력 구현: 테스트 신뢰성을 높이는 접촉 안정성 확보

◽고객 맞춤형 핀 배열 및 회로 구성: 다양한 테스트 환경에 최적화된 구조 설계

마이크로투나노는 NAND Flash의 수율 향상과 테스트 효율 극대화를 목표로
지속적인 기술개발과 최적화 설계를 통해 고객사의 품질 경쟁력을 지원하고 있습니다.

	Description
Main PCB	Low Permittivity MLB High density wiring MWB
Tip Length	≥150um
Tip Diameter	8~12um
Density	50,000 Pin
Needle Force	0.8gf/mil
Alignment ( X, Y )	Single±10um /Dual±12.5um
Planarity	±15um for 12” Wafer 1T/D
Scrub Mark	12um±4um@ 4mil
Min. Pad to Pad Pitch	55um
Min. Pad Size	55 X 50um
Test Temperature	-40~125℃
Life Time	500K
TEST Frequency	40Mhz
Max Shared	16 Shared

DRAM 테스트용 Probe Card

HBM 테스트용 Probe Card

DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 데이터를 빠르게 읽고 쓸 수 있는 휘발성 고속 메모리로,
모바일 기기, PC, 서버, 인공지능(AI), 자율주행 시스템 등 다양한 분야에서

빠른 데이터 처리와 시스템 성능 향상에 필수적인 역할을 합니다.

고속 동작 조건 대응: DDR4/DDR5, HBM 등 최신 고주파 테스트 요구에 최적화된 설계

균일한 접촉력 및 정밀 정렬: Fine Pitch 구조에서도 접점 정합도 유지

반복 테스트 대응 내구성 강화: 소모품 수명 연장을 위한 내열·내마모 설계

커스터마이징 설계: 테스트 장비(ATE)와의 호환성을 고려한 고객 맞춤형 개발 가능

마이크로투나노는 DRAM 테스트의 정확도 향상과 수율 최적화를 지원하며,
제품 개발에서 양산까지 전 구간에 걸쳐 안정적 품질 솔루션을 제공합니다.

	Description (DRAM)	Description (HBM)
Main PCB	High density wiring MWB	Low Permittivity MLB High density wiring MWB
Tip Length	≥150um	≥200um
Tip Diameter	8~12um	8~12um
Density	150,000 Pin	60,000 Pin
Needle Force	0.8gf/mil	0.8gf/mil
Alignment ( X, Y )	Single±10um /Dual±12.5um	Single±10um
Planarity	±15um for 12” Wafer 1T/D	±15um for 12” Wafer 1T/D
Scrub Mark	12um±4um@ 4mil	12um±4um@ 4mil
Min. Pad to Pad Pitch	55um	165um
Min. Pad Size	55 X 50um	80 X 60um
Test Temperature	-40~125℃	-30~110℃
Life Time	500K	500K
TEST Frequency	200Mhz	200Mhz
Max Shared	18 Shared

CIS 테스트용 Probe Card

CIS

우수한 전기적 특성 → 높은 신뢰성의 테스트 수행 가능

짧은 리드 타임과 저렴한 생산 비용 → 고객 맞춤형 대응 및 비용 효율성 확보

	Description
Main PCB	Low Temperature Co-fired Ceramic
Tip Length	≥150um
Tip Diameter	8~12um
Density	4,000 Pin
Needle Force	0.8gf/mil
Alignment ( X, Y )	Dual±12.5um
Planarity	±15um for 12” Wafer 1T/D
Scrub Mark	12um±4um@ 4mil
Min. Pad to Pad Pitch	55um
Min. Pad Size	55 X 50um
Test Temperature	-30~125℃
Life Time	500K
TEST Frequency	2.5Ghz

BIST 테스트용 Probe Card

BIST

우수한 전기적 특성 → 높은 신뢰성의 테스트 수행 가능

짧은 리드 타임과 저렴한 생산 비용 → 고객 맞춤형 대응 및 비용 효율성 확보

	Description
Main PCB	Low Temperature Co-fired Ceramic
Tip Length	≥150um
Tip Diameter	8~12um
Density	30,000 Pin
Needle Force	0.8gf/mil
Alignment ( X, Y )	Dual±12.5um
Planarity	±15um for 12” Wafer 1T/D
Scrub Mark	12um±4um@ 4mil
Min. Pad to Pad Pitch	55um
Min. Pad Size	55 X 50um
Test Temperature	-40~125℃
Life Time	500K
TEST Frequency	100Mhz